电子工程师必看！48款大功率充电器专用PFC芯片超大汇总！

前言

USB-IF协会在2021年5月份发布了USB PD3.1快充标准，在功率方面，USB PD3.1快充最高支持240W充电，并新增了28V、36V、48V五组固定电压，这也进一步拓展了快充技术的应用范围。不久之后苹果便推出了首款支持140W输出功率的USB PD3.1快充充电器，紧接着，闪极、雅晶源、新斯宝、瑞嘉达等几家第三方快充电源品牌相继入局，加速大功率快充技术的普及。

大功率充电器中，为了宽电压输入，都会采用较大容量的初级滤波电容，但使用大容量的滤波电容有两个非常明显的痛点。第一是为了照顾低压输入而采用较大的电容容量，会占据充电器中相当大的一部分体积，体积增大，使得充电器不便携带。第二是大容量的电容，在交流电通过整流桥为电容充电时，呈现容性负载，产生很大的冲击电流，对电网造成污染和干扰。

所以出于体积和干扰的考量，必须减小充电器中初级滤波电解电容的容量。好在我们可以通过升压电路提高电容上的电压，来减小电容的容量。也就是使用升压式PFC电路，将整流后的电压升压到380V左右，来给开关电源初级供电。升压到380V为开关电源供电，不仅起到了减小冗余初级滤波电解电容的容量，还避免了大容量电解电容充电时对电网造成的干扰。

什么是PFC芯片？

PFC芯片，全称为功率因数校正芯片，是用于电源系统中改善功率因数的一种高效电子组件。功率因数是指电源系统中有效功率与实际功率的比值，是衡量电能利用效率的重要指标。理想状态下，这个比值应该接近1，这意味着电能的利用效率较高，能量损耗较小。

在电子设备和电源系统中，由于存在电感、电容等非纯阻性负载，会导致电流和电压波形之间的相位差，进而导致功率因数下降。低功率因数会增加传输线路的能量损失，降低电能传输效率，并可能对电网造成不良影响。而PFC芯片就是被设计用来校正这种相位差异，提高功率因数，从而提升整个系统的能源效率。

PFC芯片通常应用于电源适配器、电源供应器和大型电子设备中。它们通过调节输入电流的波形，使之与输入电压波形尽可能同相，从而实现功率因数的优化。这种技术不仅有助于降低能耗，还能减少电磁干扰，提高电源稳定性和设备寿命。

PFC芯片盘点

充电头网根据上游厂商推荐与过往拆解记录，精心统计了多款PFC芯片。并将这些信息汇总整理形成了下表，详细展示了各家企业的主打产品及其相关封装特点。

排名不分先后，按企业英文首字母排序。

BPS晶丰明源

晶丰明源BP2628

晶丰BP2628支持临界连续模式或断续模式，可实现二极管零电流关断，有助于提高转换效率，并降低电磁干扰。该芯片支持最高540KHz开关频率，可搭配氮化镓开关管和碳化硅二极管，通过高频率减小电感体积，实现高频率小体积的升压PFC电路。

晶丰明源BP2628在重载时于临界连续模式运行，可降低开关管的导通损耗，提高转换效率；轻载时进入断续模式，降低开关损耗，保持输出电压稳定的同时保证良好的PF值和输入电流谐波。

晶丰明源BP2628内置完善的保护功能，包括逐周期过流保护，输出过压保护，芯片供电欠压保护，反馈引脚短路保护，芯片内部过热保护等保护功能，确保系统可靠运行。同时还可利用反馈脚短路保护功能进行PFC级的开关控制，降低系统的待机功耗。

晶丰明源BP2628D

BP2628D 是一款具有极低谐波的 PFC 恒压控制芯片，专为中大功率 LED 照明领域的应用而设计。BP2628D 内置 THD 补偿功能，即使轻载条件下也能提供优异的 PF 和 THD，同时采用了增强型 EA，动态特性好，负载突变输出电压变化少，特别适用于 LED 调光灯具等应用。BP2628D 控制的 Boost PFC 电路工作于电感电流临界连续模式（BCM）或断续模式（DCM），因此功率二极管零电流关断，不存在反向恢复问题，有助于实现更高的转换效率，同时抑制电磁干扰(EMI)。

BP2628D 工作频率可达到 150kHz，从而减小磁性元件尺寸。BP2628D 内置多重保护功能，包括 UVLO 保护、输出过压保护、逐周期限流保护、芯片温度过温保护等。BP2628D 采用 SOP-8 封装。

晶丰明源BP83223

BP83223 是一款集成了 650V 高压 GaN 功率管的高功率因数、原边反馈反激恒压控制芯片，具有高压启动和输入电压采样电路，能以极少的外围元件实现高精度恒压输出、低电流谐波。采用 Ton 时间控制机制和 PF 增强算法，满足新 ErP 标准的轻载分次谐波要求。芯片支持准谐振工作模式（BCM 和 DCM），通过谷底开通提升效率和 EMI 性能，内置动态加速模块提升负载响应速度，并通过频率折返技术在不同负载下优化效率。多重保护机制包括限流、短路、过压、欠压、过温等，采用 ESOP-10封装。

CHIP HOPE芯茂微

芯茂微LP6655

LP6655 是一款CCM控制模式的功率因数正控制器，且采用定频工作模式。LP6655 外部组件少，极大地简化了PFC的实现。此外 LP6655 还集成了多种保护功能，包括 VCC 欠压保护(UVLO)、电感过流保护(OCP)、过功率限制(OPL)、输入欠压保护(Brown-out)、输出过压保护(OVP)输出欠压保护(UVP)以及过温保护(OTP)等，确保系统安全可靠地工作。LP6655 采用 SOP8L封装

芯茂微LP6656

LP6656 是一款 CRM 控制模式的功率因数校正控制器。重载工作于 CRM 模式，中载/轻载工作于 DCM模式，且轻载会进 SKIP。LP6656 采用过零检测方式，实现 CRM 和 DCM 模式下的谷底导通; 带载反馈控制导通时间，导通时间随带载的减小而减小。

LP6656 集成多种保护功能，包括 VCC 欠压保护（UVLO）、输入欠压保护（Brown-out）、输出软过压保护（SOVP）、输出快速过压保护（FOVP）、输出第二过压保护（OVP2）、输出欠压保护（UVP）、CS 过流保护（OCP）、CS 过压保护（OVS）以及过温保护（OTP）确保系统安全可靠地工作。

Chipown芯朋微

芯朋微PN8280

PN8280是一款功率因素校正（PFC）控制器，可与LLC通讯实现启动时序和系统的保护。内部集成了软启动和软停止功能，具有精确的反馈电压调整，待机功耗非常低，并且具备快速锁定重启机制。为了提高整个系统的效率，PN8280在低负载情况下能够进入间歇工作模式。

PN8280还可以与flyback或LLC控制芯片一起设计，以实现高效可靠的电源。其适用于各种领域，包括台式机、一体机电源、LCD电视电源、笔记本适配器等。适用的功率范围为90W至500W，采用SOP8封装。

芯朋微PN6811

PN6811是一款高集成度的图腾柱无桥功率因数校正数模混合控制芯片，采用恒定导通时间控制实现高功率因素，系统工作于CRM/DCM状态，外围精简，省略整流桥以提升效率降低发热，非常适合高效率和高功率密度需求的应用。

PN6811内置环路控制，内部集成完善的保护功能，包括内/外部过温保护，交流欠压保护，VCC欠压保护，输出过压保护，交流跳变保护，逐周期过流保护以及端子开短路等保护。

DIODES

AL6562A

DIODES AL6562A是一颗临界模式的PFC控制器，采用临界模式控制，芯片具有低启动电流和低静态电流，内置图腾柱输出，具备可调节的输出过电压保护，采用SO8封装。

Fantastichip梵塔

梵塔FAN6601

FAN6601是一款高性能双模式AC/DC控制器，具有高集成度和高效率，表现出优秀的THD性能，适用于Boost PFC变换器。其支持临界导通模式（CRM）和断续模式（DCM）自适应切换，CRM模式可减少MOSFET开关损耗并优化EMI性能，DCM模式则通过调节开关频率提升转换器效率。FAN6601集成了丰富的功能与保护机制，支持数字环路和外围电阻优化，提供了过流保护（OCP）、短路保护（SCP）、过载保护（OLP）、欠压锁定（UVLO）、过温度保护（OTP）和过电压保护（OVP）等全面保护。

梵塔FAN6616

FAN6616是一款集成了多种功能的图腾柱PFC控制器，它采用基于峰值电流控制的CCM/CRM/DCM多模式工作机制，具备自适应DCM谷底切换工作能力，支持超过300kHz的高频操作，并通过过零点软起控制技术，实现平滑的交流电流过零点，减少开关损耗。此外，FAN6616还支持UART在线通讯，具有功率计功能，内置BOOST Follower功能，允许输出电压跟随输入电压，同时具备抗浪涌设计，增强了电源系统的稳定性和可靠性。

FAN6616还提供了智能PF补偿，满足80 PLUS钛金认证级别的要求，确保在额定电压下10%至100%的全功率范围内总谐波失真小于10%。芯片内置的频率抖动功能有助于优化EMI特性，减少电磁干扰。此外，FAN6616还具备可编程的CBC反向电流保护，防止电流倒灌，以及可配置的X-cap放电功能，确保电源安全。集成的MTP和GUI允许用户方便地配置各种参数，如工作模式、模式选择阈值、过零死区等。为了进一步提高系统的安全性，FAN6616还提供了全面的保护功能，包括输入过压保护、输入欠压保护、输出过压保护、输出欠压保护、CS短路保护和过温保护等，确保电源系统在各种条件下都能稳定运行。FAN6616采用Shunt电流采样，采用QFN4x4封装。

梵塔FAN6618

FAN6618是一款集成了多种功能的图腾柱PFC控制器，它采用基于峰值电流控制的CCM/CRM/DCM多模式工作机制，具备自适应DCM谷底切换工作能力，支持超过300kHz的高频操作，并通过过零点软起控制技术，实现平滑的交流电流过零点，减少开关损耗。此外，FAN6618还支持UART在线通讯，具有功率计功能，内置BOOST Follower功能，允许输出电压跟随输入电压，同时具备抗浪涌设计，增强了电源系统的稳定性和可靠性。

FAN6618还提供了智能PF补偿，满足80 PLUS钛金认证级别的要求，确保在额定电压下10%至100%的全功率范围内总谐波失真小于10%。芯片内置的频率抖动功能有助于优化EMI特性，减少电磁干扰。此外，FAN6618还具备可编程的CBC反向电流保护，防止电流倒灌，以及可配置的X-cap放电功能，确保电源安全。集成的MTP和GUI允许用户方便地配置各种参数，如工作模式、模式选择阈值、过零死区等。为了进一步提高系统的安全性，FAN6618还提供了全面的保护功能，包括输入过压保护、输入欠压保护、输出过压保护、输出欠压保护、CS短路保护和过温保护等，确保电源系统在各种条件下都能稳定运行。FAN6618采用霍尔电流采样，采用QFN4x4封装。

梵塔FAN6622

FAN6622是一款高性能双相交错并联Boost PFC控制器，具有高集成度和高效率，提供出色的功率因数（PF）和总谐波失真（THD）表现。其双相交错结构适用于大功率应用，降低直流损耗并提高运行效率。芯片集成高精度相位控制，自动实现180度交错运行，优化电流纹波并减小EMI滤波器和输出电容的尺寸。它支持临界导通模式（CRM）和断续模式（DCM），并通过相屏蔽和Burst控制等功能进一步优化轻载效率。内置MTP程序提供丰富配置选项，实现系统性能优化，且集成全面的可恢复保护模式，包括欠压、过压、过流和过温保护等。

梵塔FAN6631

FAN6631是一款高性能多模式AC/DC控制器，具有高集成度和高效率，主要用于Boost PFC变换器，表现出色的总谐波失真（THD）。它支持连续模式（CCM）、临界导通模式（CRM）和断续模式（DCM），可在工频半波内自适应切换，优化MOSFET电流峰值和开关频率，从而提高变换器效率。FAN6631集成有源桥驱动、母线电压跟随及X-Cap放电功能，简化外围设计并提升系统效率。芯片还内置CCM抖频技术，提供优良的EMI性能，且具备全面的保护功能，包括过流、短路、过载、欠压、过温和过压保护等。

Hynetek慧能泰

慧能泰HP1010

为了实现图腾柱无桥 PFC 的高效要求并克服它带来的各种挑战，慧能泰推出了业界首款图腾柱无桥 PFC 专用数字控制器 HP1010，其数字架构基于高速数字状态机架构，并集成了高性能模拟前端以及高速比较器，确保了图腾柱无桥 PFC 的高性能实时控制。HP1010 提供的逐周期限流保护 (CBC) 可有效避免因电源电压异常波动过程中引起的过电流问题，浪涌电压保护功能可以使在浪涌过电压尤其是正半周反向雷击、负半周正向雷击时快速关断慢速同步整流管，有效增强图腾柱无桥 PFC 的稳定性和可靠性。此外，HP1010 还集成了丰富的可编程保护功能，包括：输入电压过压/欠压保护、输出电压过压/欠压保护、输出反馈电压开路保护等，保护功能参数与使能均可独立配置。

HP1010 具备智能切换模式（CCM、DCM和Burst Mode），以适应不同负载条件下的需求，并实现良好的轻载效率。HP1010 支持开关频率延展功能，可以有效提升图腾柱无桥 PFC 电源系统的电磁干扰（EMI）性能。仅需通过图形用户界面（GUI）软件即可对芯片功能进行设定以满足新方案的需求，加速产品设计和上市时间。

作为业界首颗图腾柱无桥 PFC 数模混合专用控制器，灵活的设计特点，使其可广泛应用云计算/服务器电源、高性能计算机、5G/电信电源、工业电源、超高密度 (UHD) 电源等电源系统。

慧能泰HP1011

HP1011是一款高度灵活的数字功率因数校正（PFC）控制器，专为驱动双相交错PFC级设计。整流二极管桥和双相交错升压转换器的每一相都包含一个以PWM开关频率驱动的快速切换级和一个快速恢复二极管，组成双相交错PFC。HP1011在轻载条件下支持关闭一个PWM通道，从而实现轻载高效率。该控制器提供输入电压、电流和功率的RMS值，并通过I2C和UART接口将这些信息传输给微控制器。HP1011由单一的3.3V电源供电，采用4mm x 4mm QFN-24L封装，工作环境温度范围为-40°C至+125°C。

慧能泰HP1013

HP1013 是一款高度灵活的数字功率因数校正 (PFC) 控制器，集成了双通道低侧栅极驱动器，专为驱动双相交错 PFC 级设计。整流二极管桥和双相交错升压转换器的每个快速开关臂都在 PWM 开关频率下驱动，并通过一个快速恢复二极管组成双相交错 PFC。HP1013 支持在轻载条件下关闭一个 PWM 通道，从而在轻载时实现高效率。HP1013 提供输入电压、电流和功率的有效值（RMS），通过 I2C 接口可以将这些信息传送给微控制器。

HP1013 需要独立的电源为 VDD 和 VCC 供电。该器件采用 7.8 mm x 8.2 mm 的 SSOP-24L 封装，适用于 −40°C 至 +125°C 的环境温度范围。

JOULWATT杰华特

杰华特JW1572

杰华特JW1572是一款升压式PFC控制器，具备高精度恒压输出，适用于单级功率因数校正。芯片采用恒定导通时间控制，确保高功率因数，无需输入电压检测电路，简化了系统设计并降低损耗，采用SOP8封装。

JW1572详细资料。

Kiwi Instruments必易微

必易微KP2822

KP2822 适用于中大功率的 PFC 应用场合，有利于高功率密度，扁平化的设计。芯片在任何工况都可实现两路 180° 错相运行，将交错并联的结构优势发挥得淋漓尽致。芯片集成诸多优良性能，如输入电压前馈补偿，精准的谷底导通，动态性能优化，轻载降频，打嗝模式，优化 CRM/DCM 控制算法，完备的保护功能等，帮助客户轻松地设计出高性能，高可靠性的开关电源产品。

同时芯片提供灵活的配置功能，如最大导通时间，输出过压点，输入欠压点，降频工作点，最高工作频率等，可满足各类应用场合的不同规格指标要求。客户可直接使用 KP2822 替换友商同类产品 XX1631，而只需修改一颗电阻即可。

KP2822详细资料。

必易微KP2806

KP2806 是一款高性能、准谐振式 (QR) 升压型 (Boost) 恒压功率因数校正 (PFC) 控制器，可自适应地工作在临界导通模式 (CRM) 和断续导通模式 (DCM)。

KP2806芯片采用 SOT23-6 封装，通过多功能管脚复用，真正做到了小而精的特点，占用更小的 PCB 空间，方便客户实现更小的体积和更低的设计成本。

必易微KP2806详细资料。

必易微KP2801A

KP2801A 是一款高性能、准谐振式 (QR) 升压型 (Boost) 恒压功率因数校正 (PFC) 控制器。芯片可 自适应地工作在临界导通模式 (CRM) 和断续导通模 式 (DCM)。满载时芯片工作在 CRM；负载降低时芯 片工作在 DCM，工作频率降低以提高系统效率。 芯片通过优化 CRM/DCM 控制算法和输入线电压前 馈补偿，能轻松实现高功率因数 (PF) 和低输入谐波 (THD) 的性能，即使芯片工作在 DCM。

KP2801A 内置高压启动和供电电路，无须外部供电 即可实现快速启动和供电功能。此外，无需辅助绕 组的消磁检测技术简化了系统设计同时降低了生产 成本。

KP2801A 集成有完备的保护功能，包括：VDD 欠 压保护功能 (UVLO)、VDD 过压保护 (VDD OVP)、 输入欠压保护 (BOP)、输出欠压保护 (UVP)、输出 过压保护 (OVP)、逐周期电流限制 (OCP)、异常过 流保护 (AOCP)、过热保护 (OTP) 以及管脚开短路 保护。

必易微KP2803X

KP2803X 是一款高度集成的升压式 PFC 恒压功率开关，芯片工作在临界导通模式，同时加以有源功率因数校正控制技术和谐波补偿技术可以满足高功率因数、超低谐波失真和高效率的要求。KP2803X内部集成消磁信号检测电路、高压启动供电电路，无需辅助绕组检测消磁和供电，同时内部集成COMP 补偿环路和高压功率 MOSFET，只需很少的外围器件，即可实现优异的功率因数校正和恒压输出，极大的降低了系统成本。KP2803X集成有完备的保护功能以保障系统安全可靠的运行，如:VDD 欠压保护功能(UVLO)、逐周期过流保护(OCP)、过热保护(OTP)、输出过压保护(OVP)、输出欠压保护(UVP)等。

必易微KPE2851X

KPE2851X 是一个高性能、连续导通模式(CCM)升压型(Boost)恒压功率因数校正(PFC)控制器。KPE2851X 可作为交流-直流变换器中的前端稳压器，具有高功率因数(PF)、低电流失真(THD) 和出色的电压稳压性能。

KPE2851X 通过检测电感电流和输入电压，在固定开关频率下控制功率开关管的导通时间，实现功率因数校正的功能。KPE2851X 减少了外围器件数量，简化了系统设计并降低了生产成本。KPE2851X集成有完备的保护功能，包括:VDD过/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)、输入欠压保护(BOP)输出过/欠压保护(FB OVP/UVP)、逐周期过流保护(CBCOCP)、逐周期过载保护(CBCOLP)、CS管脚开路保护(CS OP)以及过热保护(OTP)。

必易微KPE2852

KPE2852 是一个频率可调节、连续导通模式(CCM)升压型(Boost)恒压功率因数校正(PFC)控制器。KPE2852 可作为交流-直流变换器中的前端稳压器具有高功率因数(PF)、低电流失真(THD) 和出色的电压稳压性能。

KPE2852 通过控制在固定开关频率下的功率开关管的导通时间，在无需检测输入电压的情况下，即可实现功率因数校正的性能，从而减少了外围器件数量，简化了系统设计并降低了生产成本。KPE2852 集成有完备的保护功能，包括:VDD 过/欠压保护功能(VDD OVP/UVLO)、软过流保护(SOCP)、逐周期过流保护(CBC OCP)、输出过/欠压保护(FB OVP/UVP)、VM 管脚短路保护(VM SP).SET管脚短路保护(SETSP)、CS管脚开路保护(CSOP)、以及过热保护 (OTP)。

Leadtrend通嘉

通嘉LD7580x

通嘉科技推出新一代高性能双相交错并联的全数字PFC控制器LD7580x系列，适用于纤薄型液晶显示器、笔记本适配器、游戏主机等高效PFC解决方案。该系列具备分相管理功能，提升电容寿命及系统可靠性，支持GUI刻录功能以灵活调整参数，并采用限频和打嗝模式设计以提升轻载及待机效率。

LD7580x系列全数字控制无需外接补偿电容，集成动态加速功能，能有效抑制突波并快速恢复电压。LD7580x通过混合模式升压控制和THDi/PF补偿机制，实现高功率因子、低谐波失真。控制器在重载时操作于CRM模式，降低切换损耗，而在轻载时切换至DCM模式，提升轻载效率。该系列还集成了全面的保护机制，并拥有通嘉自有专利，保障电源供应器的优势和亮点。

通嘉LD7597

LD7597是一款采用电流模式的PFC控制器芯片，可在临界导通（CRM）或间断导通（DCM）模式下运行。它内置了用于改善各种工作模式的THDi的电路。该控制器以DCM操作为基础，采用频率限制方法来提高在轻负载条件下的效率。

LD7597还集成了多种保护功能，包括过压保护（OVP）、断电/上电保护、饱和保护、欠电压保护（UVP）、过温保护（OTP）、接地断路保护以及过电流保护（OCP），并且具备高/低线路补偿功能，可以有效保护系统，防止因偶发故障而造成损害。

通嘉LD7593DA

通嘉LD7593DA是一款工作在转换模式的电压模式 PFC 控制器，具有多种集成保护功能，例如 OVP、OCP 和内部 OTP。

通嘉LD7593DA采用SOP-8封装，具有用于功率因数校正的转换模式。通过零电流开关实现高效率和低开关噪声。感应交流输入电压以补偿高和低交流输入电压之间的 OCP和PF值。

通嘉LD7593AX/BX

LD7593AX/BX是一系列采用电压模式的PFC控制器，运行在过渡模式下，并集成了多种保护功能，包括过压保护和过电流保护，可大大减少了周边元件数量，封装为SOT-26，非常适用于低成本应用。

LD7593AX/BX采用过渡模式进行功率因数校正，通过零电流开关实现高效性能并降低开关噪声。精心设计的CS引脚集成了电感电流限制、零电流检测（ZCD）以及第二级过压保护（2nd OVP）功能。特别设计的ZCD检测方法消除了对ZCD辅助绕组的需求。

MAXIC美芯晟

美芯晟MT9570

美芯晟基于在电源模拟芯片行业的多年耕耘，推出增强版PFC控制器MT9570，该芯片特点是优化的总谐波失真(THD)性能，从而轻松实现PF>0.99，THD<5%@满载/AC230V，满足IEC61000-3-2标准，同时系统方案支持调光应用，50%负载THD<6%，10%负载THD<20%。

美芯晟MT9570是一款高功率因数，低THD，非隔离，升压型恒压驱动芯片，其VCC电压范围极宽，使其能适应各种不同的电源环境，无论是在工业生产还是日常生活中，都能轻松应对。MT9570内置THD补偿功能，轻载时具有优异的PF和THD；同时采用增强型EA，负载突变对输出电压影响小，具有优异的动态性能，能在驱动其他设备时提供高效且无噪声的电力，而且在开机启动或负载切换时也能保持稳定的性能。

MT9570集成EN待机功能实现超低待机功耗，实现静态电流13uA，采用增强型EA，在启动和动态负载期间还具备更小的过冲/下冲，集成误差放大器易于环路设计，为广大客户工程师朋友提供性能可靠的PFC电源国产替代解决方案，可广泛应用于USB-PD充电器、AC-DC适配器、LED驱动器、工业电源、电动工具等领域。

MERAKI茂睿芯

茂睿芯MK2554

MK2554 系列是用于高性能 AC/DC 电源系统的连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 控制器。通过多模式控制策略，MK2554 能在不同的工作条件下实现超低谐波失真 (THD) 和接近单位的功率因数。开关频率内部固定，MK2554A 型号通过频率抖动提供更好的 EMI 性能。

MK2554 的工作电压范围广，从 11V 到 28V，适用于各种应用场景。MK2554 集成了反馈和检测引脚的开路/短路保护功能，减少系统损坏的风险。MK2554 还具备其他系统级保护功能，包括峰值电流限制、输入欠压检测、输出过压和欠压检测。精确的参考电压提供了可靠的保护阈值，内部钳位电路将栅极驱动电压限制在 15.5V 以下。

茂睿芯MK2554A

MK2554A 系列是用于高性能 AC/DC 电源系统的连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 控制器。通过多模式控制策略，MK2554A 能在不同的工作条件下实现超低谐波失真 (THD) 和接近单位的功率因数。开关频率内部固定，并提供频率抖动以改善 EMI 性能。

MK2554A 的工作电压范围广，从 11V 到 28V，适用于各种应用场景。MK2554A 集成了反馈和检测引脚的开路/短路保护功能，降低系统损坏的风险。同时还具备其他系统级保护功能，包括峰值电流限制、输入欠压检测、输出过压和欠压检测。精确的参考电压提供了可靠的保护阈值。内部钳位电路将栅极驱动电压限制在 15.5V 以下。

茂睿芯MK2552系列

MK2552 是一款临界导通模式（CrM）PFC控制器，专为高性能 AC/DC 电源系统设计。它具有高度线性的乘法器和谐波失真优化器，能够在不同工作条件下实现超低谐波失真（THD）和接近于单位的功率因数。

MK2552支持 11V 至 30V 的宽工作电压，在轻载条件下可进入不连续导通模式（DCM），超低启动电流和优化的 VCC 欠压保护使其非常适合自供电系统。MK2552 还具备智能保护功能，包括软启动和软停机保护、电压跌落和欠压保护、智能高/低线过流保护等，应用领域涵盖 AC/DC 适配器、工业电源、电视、桌面电脑和照明设备等，采用SOP-8封装。

NXP恩智浦

恩智浦TEA1755T

NXP恩智浦TEA1755T，这款芯片集成了APFC控制器。

NXP TEA1755T是一颗集成PFC升压和反激控制器的二合一芯片，支持高压启动，轻载下以突发模式运行，降低空载功耗并提高能效。

恩智浦TEA19162T

恩智浦TEA19162是一颗PFC专用控制芯片。

恩智浦TEA19162，用于将整流后的电压升压，进行主动功率因数校正，内部集成X电容放电元件，无需外部元件，集成软启动和关断，支持高精度稳压升压，并且内置多重完善的保护功能。

On-Bright昂宝

昂宝OB6560

昂宝OB6560是一颗准谐振DCM模式PFC控制器，使用谷底开通降低开关损耗，内置图腾柱驱动输出，芯片内置全面的保护功能，采用SOP8封装。

OB6560详细资料。

Onsemi安森美

安森美NCP1607

安森美NCP1607是一颗PFC控制器，采用临界导通模式，具备多种安全保护功能，采用SOIC8封装。

安森美NCP1623

安森美NCP1623 PFC控制器基于创新的Valley同步频率折返（VSFF）方法。VSFF 可在标称负载和轻负载条件下最大限度地提高效率，在重载时运行在临界导通模式，轻载运行在断续导通模式，并支持谷底开通以提高效率。NCP1623支持临界模式、断续导通模式运行，谷同步频率折返可在标称负载和轻负载下提升效率，并且可在低开关频率下获得良好的功率因数，提供TSOP6、SOIC8两种封装形式。

安森美NCP1615

安森美 NCP1615是一颗高压高效率的PFC升压控制器，基于创新的电流控制频率折回模式运行，可在标称负载和轻负载下最大程度提高能效，并降低待机损耗。

具有快速的负载瞬态补偿，内部集成高压启动电路，外围元件精简，支持完善全面的保护功能，具有超低的待机功耗。

安森美NCP1616

安森美 NCP1616是一颗高压高效率的PFC升压控制器，基于创新的电流控制频率折回模式运行，可在标称负载和轻负载下最大程度提高能效，并降低待机损耗。

内部集成高压启动电路，外围元件精简。

安森美NCP1622

安森美 NCP1622是一颗增强型的高效率PFC控制器，基于创新的电流控制频率折回模式运行，可在标称负载和轻负载下最大程度提高能效，并降低待机损耗。

NCP1622无需辅助绕组，支持谷底开通，支持输出过电压保护，支持过电流限制。

安森美NCP1937

安森美NCP1937是一颗多功能combo芯片。

安森美NCP1937是一颗内部集成了PFC控制器的反激准谐振控制器，PFC以临界模式运行，内置QR准谐振控制器，适用于宽电压输出的大功率反激充电器。

安森美NCL2810

安森美 NCL2801是一颗高压高效率的PFC升压控制器，基于创新的电流控制频率折回模式运行，可在标称负载和轻负载下最大程度提高能效，并降低待机损耗。

其具有快速的负载瞬态补偿，内部集成高压启动电路，外围元件精简，支持完善全面的保护功能，具有超低的待机功耗。

Power Integrations

HiperPFS-5

根据PI高级培训经理Jason Yan介绍，PI这款全新的PFC控制器HiperPFS-5与市面上常见的PFC控制器有别，其内置了750V PowiGaN功率开关，在90-308Vac输入时均有优异的PFC性能，230Vac满载时拥有98.3%的效率。

HiperPFS-5采用准谐振（QR）非连续导通模式（DCM）控制技术，在不同输出负载、输入电压和工频周期内对开关频率进行调整。QR模式的DCM控制可减低开关损耗并可使用低成本的升压二极管；并且DCM模式相较于传统的临界导通模式（CRM）升压PFC电路，升压电感尺寸减小一半。

芯片控制引擎还具有功率因数增强功能（PFE），即在高压输入轻载情况下，控制引擎会对输入电流的波形进行微调，以补偿输入端EMI滤波电容及电路母线两端的去耦电容对功率因数及谐波电流造成的影响。这样可以保证即使在轻载情况下，功率因数也会高于0.96。

此外，该芯片还集成了X电容放电功能、自供电、无损电流检测等功能，外围电路精简，仅需25颗器件即可完成PFC电路设计。

PI高级产品营销经理Edward Ong表示：“在OEM原厂和非原厂供应商竞相为移动设备推出最快、最小、最通用的USB PD充电器的背景之下，HiperPFS-5 IC可以为工程师提供关键优势。我们做到了将PI特有的PowiGaN开关与准谐振、变频非连续导通模式升压PFC拓扑结构相结合。而如果将HiperPFS-5 IC与我们新推出的HiperLCS2芯片组或InnoSwitch4-CZ有源钳位反激IC搭配使用，设计工程师可以轻松超越最严格的效率标准，同时将物料清单缩减一半，设计出精致小巧的超快速充电器。”

RENESAS瑞萨

瑞萨 R2A20133DSP

R2A20133D 控制升压变换器以提供主动功率因素校正。R2A20133D 采用关键导通模式进行功率因素校正，并通过零电流开关实现高效率和低开关噪声。

R2A20133D由于使用地线电流检测零电流，因此无需 ZCD 辅助绕组。此外，R2A20133D 还内置了反馈环路开路检测、两种过压保护模式以及过流保护功能，可构建一个高可靠性的电源系统，且所需外部部件较少。

Silergy矽力杰

矽力杰SY5072B

矽力杰PFC控制器SY5072B运行在临界模式，采用恒定导通时间运行，内置的升压转换器采用准谐振开关以获得高效率及优化EMI性能，提供SOT23-6封装。

SOUTHCHIP南芯

南芯SC3201

南芯科技SC3201是一种用于升压变换器的功率因数校正(PFC)控制器，采用多模式控制策略，无需在Boost电感上添加辅助绕组，就可以实现精确的谷底检测，适合于宽输出电压场景，大大减少外围器件。

南芯科技SC3201采用SOT23-6封装，VDD支持9-30V，SC3201不仅支持VFB过压保护、VDD欠压保护、周期限流保护、超高温保护等多重保护措施，还支持第二级独立的过压、欠压、过流保护。可用于USB-PD充电器，AC-DC适配器，LED驱动器、工业电源、电动工具等领域，提供SOT23-6封装。

ST意法半导体

意法半导体L6563S

意法半导体L6563S是一颗PFC专用控制芯片。

意法半导体L6563S是一颗增强型过渡模式PFC控制器，通过将整流滤波后的直流电升压，进行功率因数校正。

意法半导体L6562A

ST意法半导体L6562A是一颗PFC控制器，为过渡模式运行。芯片内置THD优化电路，具备高精度的两步可调输出过压保护，具备电流检测的数字前沿消隐，内置图腾柱栅极驱动器，提供DIP-8、SO-8封装。

TI德州仪器

德州仪器UCC28056

TI UCC28056推出的PFC专用控制芯片，体积小巧。

TI UCC28056是一颗临界模式的PFC控制器，具有超低空载损耗，全负载范围内可提供出色的效率及优秀的待机功耗，支持300W的输出功率。

充电头网总结

USB PD3.1的推出，提升了充电器的输出功率，拓展了使用场合。功率的提升也对充电器带来了更多的要求，其中PFC就是强制要求的一环。

PFC的加入可以减小初级电容充电对电网的影响，同时升压输出还可以减小初级电容的容量，从而来减小大功率充电器中电容所占的体积。并且得益于第三代半导体材料的普及，PFC电路可以使用氮化镓开关管配合碳化硅二极管，以提升工作频率，从而减小PFC升压电感体积，提高功率密度。

目前百瓦级别的充电器几乎已标配PFC电路，充电头网通过实际拆解发现，采用第三代半导体，以高频运行的PFC电感明显小于传统硅器件方案。第三代半导体的高效率优势，还降低了充电器的散热需求，减小充电器体积。

如何通过沙子来改变这个世界？详解芯片工作及制造原理

沙子在我们普通人的眼中可能只是一种廉价的建筑材料，然而，科学家们通过自己的智慧，将这些不起眼、廉价的沙子制成半导体材料，价值瞬间翻了几十万倍，形成了一个巨大的半导体产业，中国每年进口半导体芯片所花费的金额就达到了几万亿人民币，已经超过了石油的进口总额，集成电路与半导体材料已经成为了社会发展的“刚需”。那么人类是如何将沙子摇身一变成为价值媲美黄金的芯片呢？接下来我们将进入制造半导体的世界。

半导体芯片

从沙子到单晶硅再到晶圆

沙子的组成

沙子是我们生活中非常常见的一种物质，它的主要组成成分是石英，也就是二氧化硅（SiO2）,沙子中二氧化硅含量高，因此，对于半导体产业来说，沙子是再合适不过的原料了。制作半导体材料所需要的原料是单晶硅，因此，需要先将沙子中的氧去除，从而得到单质硅。

沙子

沙子中提取硅单质，得到多晶硅

要将沙子中的二氧化硅变为单质硅，需要将沙子中的二氧化硅进行还原。一般是在电弧炉中，将石英含量较高的沙子和焦炭按适当的比例加入，在2000℃的高温中反应并生成硅单质。

电弧炉

二氧化硅还原

然而，通过上面反应之后得到的硅杂质含量很高，硅的纯度一般只有95%~99%，这种硅称为冶金级硅。只有极少数的高纯度冶金级硅(纯度≥98%)才能用于进一步提纯为高纯度的电子级多晶硅，而这些能达到要求的仅占冶金级硅的1%。

超大规模集成电路的硅材料，纯度需要达到10~11个9，也就是平均几百亿个原子中仅含有一个杂质原子，这个纯度是非常高的，因此，需要将上面得到的硅进一步提纯。

一般先将粗硅与氯化氢（HCl）气体在高温下反应，生成三氯化氢硅（SiHCl3），同时也会生成SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl、AlCl3、FeCl3等物质，再利用这些物质沸点的不同在蒸馏塔中控制温度进行多次精馏分离。

得到的高纯SiHCl3再与H2通入还原炉中，利用高纯硅细棒作为发热体，加热到1100℃左右，SiHCl3会与H2在炉内反应，生成Si和HCl，新生成的硅会沉淀在硅棒上，使硅棒逐渐变粗，得到高纯度的硅单质。

粗硅进一步提纯工艺

从非晶硅到单晶硅棒

制备芯片所需要的硅必须是要单晶硅，所谓的单晶，就是物质内部的原子排列整齐有序的，而上述得到的反应得到的单质硅内部结构并非有序结构，一般为非晶结构或多晶结构，非晶即为原子排列完全没有规则，杂乱无章，而多晶则为部分结构有序，而长程无序，微观的区域内为晶体结构，很多的晶体结构之间存在着晶界。因此需要进一步重新熔化结晶得到单晶硅。

单晶硅结构和非晶硅结构

目前制备单晶硅一般使用直拉法，将熔融的单质硅控制到熔点温度，在熔点温度下用一块小的单晶硅（晶籽）引出，液态的硅会在晶籽的表面一层一层逐渐生长，形成单晶结构。

熔融的硅原子不断地在晶棒下端有序生长

在生长的过程中，单晶硅棒需要不停的旋转，而下面的坩埚反方向旋转，单晶硅棒一边旋转一边缓慢提起。之所以要旋转是因为熔体内溶液温度存在温差会形成自然对流，并且晶体在提升的过程中也会引起对流，因此，旋转的过程可以使温度更为均匀，并且也利于杂质的均匀分布。

在实际操作的过程中，转动速率需要通过对热流以及熔体性质进行分析并准确的计算，这样拉出来的单晶棒才能生长均匀，结构完整。

从单晶硅棒到单晶硅片

拉出来的单晶硅棒制成之后，需要进行切片，切割的过程一般使用钢线切割，钢线的长度一般为数百千米，并且切割速度达到600~800m/min，钢线的表面一般镀有碳化硅颗粒，这类物质硬度极大，切割速度也非常快。

线切割原理

切割之后一个硅锭就可以得到很多的单晶硅片，这就是我们常听的晶圆。由于切割过程中表面并不平整，因此，还需要进行清洗，抛光等过程。

芯片的制作过程极其复杂，上面这一系列过程只是处于上游的制作过程，芯片的制作可以说在这里才真正开始。

芯片实际上是由几十亿个晶体管组成，制作芯片，就是相当于要在晶圆上刻蚀出无数微小的晶体管，并将它们通过极其细小的电路连接起来。在了解芯片的工作原理以及制备工艺之前，我们先要了解什么是晶体管以及它有什么作用。

晶体管及芯片工作原理

常用的晶体管一般为二极管和三极管，晶体管中最重要的部分就是P-N结，P-N结有一个特殊的性质，那就是单向导电性。

P-N结

P-N结就是将一块P型半导体于N型半导体相接触，那么，在它们相接触的地方就形成了一个P-N结。

P型半导体

P型半导体指掺入少量硼（B）原子的硅晶体，硅元素处于第四周期元素，原子核最外层具有四个电子，而硅在该电子层电子数为8个的时候会形成稳定结构，因此单晶体中一个硅原子会与四个硅原子形成四对共价键，下面就是单晶硅的电子结构。

而硼原子最外层只有三个电子，因此，硼原子在与硅原子形成共价键时，会形成7个电子的结构，相比硅单质少了一个电子，相当于空了一个位置，我们把这个空的位置称为“空穴”。

“空穴”可以在这个结构中随意流动，因此，这类半导体就具有了导电性。

N型半导体

N型半导体指掺入少量磷（P）原子的硅晶体，磷原子最外层有5个电子，因此在与四个硅原子形成共价键时，就会多出一个电子，这个电子也是可以自由移动的。

P型和N型半导体结合形成P-N结，由于N型半导体存在多余电子，电子浓度较大，而P型半导体中存在很多电子空位，于是N型半导体中的电子会自发流向P型半导体。由于扩散作用导致电荷不平衡，于是会形成内建电场。

当外加一个电压形成的电场与内建电场相反时，便可以抵消内电场，同时可以在负极注入更多的电子，这个时候便形成了通路。当加入一个反向电压时，外电场方向与内电场方向相同，电场加强，电子便无法通过，这就是P-N结单向导电的本质原因。

上面这个是一个P-N结形成的二极管，当多个N型半导体与P型半导体相结合时，就能够形成三极管，三极管相当于是一个继电器，利用小电流控制大电流。

我们以一个NPN三极管为例，进行分析

一个三极管会存在两个P-N结，方向相反，每种类型的半导体都会有一个引脚，当我们在集电极与发射极两端接上电压时，无论电压是哪个方向，总会有一个PN结所形成的内电场与外电源的电场相同，因此ec两端始终无法形成通路。那么如果在be端另外加上一个电压就不一样了。另外加上的这个电压可以抵消一个P-N结的作用，电子可以顺利的从下面的N极流入P极，由于中间的P极非常窄，流入的多余电子会被c处的电极所吸引，于是ec之间形成了通路。ec之间的电流会比be之间的电流大几百倍，这就形成了一个电流放大的作用。

三极管电路图

三极管电流的放大作用演示

mos管

晶体管中还有一种mos管，它的作用和三极管非常类似，三极管是通过小电流来控制大电流，而mos管不是通过电流来控制，而是通过电压。

我们以上图左边的N沟道场效应管类型为例进行分析，当在栅极加入一个正电压时，两端源极与漏极（N区）中的电子会被吸引到中间的P区，由于栅极与P区之间存在一层氧化物薄膜，电子无法通过，于是电子会聚集在P区，但是无法流入栅极，这个时候在源极与漏极之间加入电压的话就会形成一个通路，于是会有电流流过。

这就是晶体管的工作原理

通过上面的介绍，我们知道了晶体管的原理，如果用一句简单的话来总结晶体管的话，那么这些晶体管的作用就相当于是一个开关，当中间电极提供电流或者电压时，两端则会形成通路，相当于用手按下了开关，而没有电流或者电压时，则电流无法通过，相当于断开了开关。了解了这个原理，那么，晶体管在CPU中是如何发挥作用的呢？

CPU中晶体管的作用

CPU可以说是一个计算机的大脑，它通过快速的运算来为我们服务。在计算的过程，全靠这些晶体管。我们知道，计算机存储数据的原理是利用0和1来进行储存，计算机之所以使用二进制，是因为对于电子机器来说，一切事物无非只存在两种状态：有或者没有。这个有或者没有对应着电路的断路或者通路。前面讲过晶体管就相当于开关，将这些开关通过不同的组合就能够得到各种门电路，输入不同的数据0、1就对应着这些开关的断开、闭合，通过门电路，我们就知道输出端是否有电流，这个输出端是否有电流对应着输出0或者1，通过这些大量的开关进行各种组合，我们就可以得到一个超强计算能力的处理器，实上CPU计算的过程，就是这些开关不断闭合、断开的过程。而单个晶体管开关的速度可以达到每秒1000万次以上，因此晶体管数量越多，开关速度越快，CPU的运算速度就越快。

逻辑电路

当然这只是简要的描述了CPU的部分功能，CPU其实不仅仅有计算功能，同时还拥有其它的模块，这里就不详细介绍，我们知道其中的主要原理就可以了。

从晶圆到芯片

知道了CPU中晶体管的作用，那么我们就能明白芯片为什么要进行下面这些制作工艺了。CPU中的主要部件就是上面所提到的这些晶体管的组合（主要是mos管），以目前的工艺技术，在一块拇指大的单晶硅片上就能制成几十亿个晶体管，并且将所有的晶体管连接起来，组成集成电路，因此工艺非常复杂。

下面就是关于在晶圆上制作出晶体管的工艺流程。

光刻蚀

光刻蚀的目的就是将设计好的电路“雕刻”在硅片上，晶圆在光刻蚀之前，会对晶圆进行热处理，使表面形成一层氧化层（SiO2），然后再涂上一层薄薄的光刻胶，光刻胶有一个特殊的性质，就是被紫外线照射之后，会从不溶于水变为可溶于水。首先工程师会将电路设计成一个模板，再利用紫外线照射照射模板，通过模板的紫外线光汇集在特定的位置，照射的区域就是电路的轨迹，再用水进行清洗，被照射部分的光刻胶就被清理掉了。

涂上光刻胶

光刻过程——紫外线照射

被照射部分光刻胶被清洗掉

光刻机

掺杂

被清洗掉的光刻胶之后，下面的二氧化硅层便暴露出来了，接下来会用溶液对二氧化硅层进行腐蚀，使下面的硅层暴露出来，暴露出来的硅层将会进行掺杂，根据不同的晶体管类型，选择掺杂什么样的杂质，形成P型或者N型半导体。

掺杂方式：离子注入法

离子注入法是将n型或p型掺杂剂的离子束在静电场中加速，注入p型或n型半导体表面区域，在表面形成与基体型号相反的半导体，从而形成P-N结。这些离子在电场中加速后得到的能量可以达到几十万电子伏特。之后经过离子注入之后的晶圆再进行处理，将剩下的光刻胶打磨清除掉。

离子注入

而经过强电场注入的杂质原子在硅中的结构并不规则，因此需要将注入离子的晶圆在一定条件下进行热处理，使杂质原子移动至硅原子的晶格上，占据一个硅原子的位置，从而形成规则的P型结构或N型结构。

经过刻蚀之后的晶圆表面凹凸不平，反射的光线经过干涉之后呈现五彩斑斓的颜色

掺杂的操作需要进行很多次，每次掺杂都需要经过涂上光刻胶、光刻、清洗、腐蚀、离子注入、热处理这些过程。最后在晶圆表面利用气相沉积法沉积一层二氧化硅薄膜进行绝缘处理，之后再涂上光刻胶、光刻、清洗、腐蚀，在绝缘层表面进行得到一个开孔，用于引出电极导线。

绝缘层上腐蚀开孔

电镀铜，制作电路

上面这些过程基本已经形成了晶体管结构，接下来就要将这些成型的晶体管利用线路连接起来，而连接的线路就是铜。利用硫酸铜溶液电解在直流电下进行电解，从而在表面沉积形成一层铜。

因为整个表面都会被铜所覆盖，因此需要再打磨去掉多余的铜，从而在晶体管的三个电极上引出铜接口。

接下来就需要利用铜线将所有的晶体管进行连接，构建完整的电路，而电路的构建并不是一层结构就能够满足的，需要在晶体上方一层一层连接，构建每一层的电路都需要进行涂胶、光刻、镀铜、打磨这些工序，而芯片中这些线路的连接层数多达几十层。

构建电路

在显微镜下将芯片电路放大

晶圆切片、装片、封装

经过上面的步骤，每个单独的芯片就制作好了，一块晶圆中就有几百个芯片单元，接下来需要对每一小块芯片进行测试，并将晶圆进行切割，分离各个芯片，将合格的芯片进行装片，并加上外壳进行封装。

芯片检测

晶圆切割

芯片封装

经过上面这些过程，一个完整的芯片就诞生了。一个芯片从晶圆到封装，都需要经过上千道工艺，芯片的制造一定程度上反应了人类科技的最高水准，甚至有些人认为芯片就像是一个外来的产物，人类居然能够拥有如此高超的技术制造出这么复杂的东西。那些曾经让芯片从无到有的科学家，他们的智力以及想象力令人折服。

总结

上面对芯片进行了大幅度完整的介绍，如果简单总结一下上面所介绍的芯片制作工艺就是：

硅提纯、切割、制作晶圆→光刻、腐蚀、离子注入、构建电路→芯片测试、晶圆切割、装片封装→芯片诞生。一颗沙子经过这样一个流程，摇身一变，价值甚至超过了黄金。但不得不说，一块芯片的研发，不仅花费的是高昂的成本，更是无数科研人员心血。

现在的芯片无处不在，从手机到人工智能再到航空航天，每一项技术都离不开芯片的支撑，而制作芯片的光刻机更是掌握着芯片产业的命脉，芯片正在改变着这个世界，在未来，我国在芯片技术上也一定能够有所突破。

想了解更多有趣科学知识，欢迎关注。

（部分图片来源于网络，侵权删）

相关问答

为什么音响产品那么贵，几个电容和芯片就能卖几十万?音响电...

[回答]瑞典的RIFA电解电容,采用的厂家寥寥可数,因为RIFA电容实在太贵了,这麽贵的售价当然是有其道理的,不用说也知道,一定是性能以及品质都实在是好得没话...

电容芯片是什么材质?

电容芯片是硅材料材质。硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质,以获得所...

24伏电源冬天电压不稳?

主要原因,这个电解电容的有效容量小了,换一只好的,就应该解决问题。由于电解电容的有效容量减小,在控制芯片输出驱动脉冲时,功耗加大,电源引脚上的电压降低...

gmt电解电容是哪个牌子的?

尼基康是日本三大电容器厂家之一,1950年创立。如今综合的水平在“日本三CON”稳步居中,国际市场占有率17%。芯片类PCH、PCL系列有更高的温度及寿命保证,UCM、U...

我想问一下墨盒的芯片有什么作用啊?

大部分的打印机的硒鼓都是采用计数芯片来计算碳粉的量的,一般这个芯片就装置在硒鼓的外表某个位置上。因为打印机打印到一定程度就会没碳粉,而芯片的作用起到...

电解加工为什么用脉冲电压?

电解加工是基于电解过程中阳极溶解原理,借助成型阴极,将工件按一定形状和尺寸成型的一种加工工艺,具有机械加工更优越的加工性能。随高精度,高效率,硬质材料...

电解电源比较好的牌子有哪些?急!急!急!

[回答]电源控制模块是能够立即贴片在印刷线路板上的电源供应器,其特性是能为型集成电路芯片(ASIC)、数据信号转换器(DSP)、微控制器、储存器、当场可编程...

macbook充电器掉连接头水里电解了,充不了电怎么处理-ZOL问答

拔掉再重新充电

LED电源空载电压不稳定是怎么回事?

专用的led驱动电源是开关型恒流源,与常见的稳压电源的性质不同,空载时电压不稳是它的本来属性,接上负载后电压会自动降低,但也会不稳,完全正常的.专用的led驱...

电解电容100uf/220uF功能是什么?-戒掉先的回答-懂得

电容用在不同的地方作用不一样,100uf/220uF这个级别的电解电容一般用作电源滤波、耦合的情况比较多。以下是电容通用的作用说明:1.耦合:电容是一个...