离子注入后如何去胶？

知识星球里的学员问：离子注入后的光刻胶很难除，有什么好的方法吗？涉及到的原理可以讲一讲。

离子注入主要是形成阱（WELL）、低掺杂区（LDD）、以及重掺杂区（P+/N+）。

离子注入过程中，光刻胶受到高能离子的轰击，离子的能量可以打破光刻胶分子链中的化学键，使这些分子重新交联，形成更为稳定的化学结构。这种交联使得光刻胶表面有一层硬壳，从而增加了去除的难度。

有哪些高效的去胶方法？

采用O2 plasma灰化和湿法结合的方法。可以先用O2 plasma轰击光刻胶硬壳表面，使“新鲜”的光刻胶露出，然后再用SPM==》RCA去除光刻胶及产生的颗粒。

SPM：浓硫酸+双氧水；RCA1：氨水+双氧水；RCA2:盐酸+双氧水

当然也可以用臭氧水进行清洗。

但是O2 plasm会对芯片表面的硅造成少量的损伤，在低端制程（节点<65nm）不用考虑硅的损失。当高端制程时，需要完全使用湿法工艺进行去除。

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芯片封装如何去除？---芯片开封介绍

芯片开封也就是给芯片做外科手术，通过开封我们可以直观的观察芯片的内部结构，开封后可以结合OM分析判断样品现状和可能产生的原因。

开封的含义：Decap即开封，也称开盖，开帽，指给完整封装的IC做局部腐蚀，使得IC可以暴露出来，同时保持芯片功能的完整无损, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受损伤, 为下一步芯片失效分析实验做准备，方便观察或做其他测试（如FIB,EMMI），Decap后功能正常。

开封范围：普通封装 COB、BGA、QFP、 QFN、SOT、TO、 DIP、BGA、COB 陶瓷、金属等其它特殊封装。

开封方法： 一般的有化学(Chemical)开封、机械(Mechanical)开封、激光(Laser)开封、Plasma Decap 开封实验室：Decap实验室可以处理几乎所有的IC封装形式（COB.QFP.DIP SOT 等）、打线类型（Au Cu Ag）。

高分子的树脂体在热的浓硝酸（98%）或浓硫酸作用下，被腐蚀变成易溶于丙酮的低分子化合物，在超声作用下，低分子化合物被清洗掉，从而露出芯片表层。

开封方法一： 取一块不锈钢板，上铺一层薄薄的黄沙（也可不加沙产品直接在钢板上加热），放在电炉上加热，砂温要达100-1５0度，将产品放在砂子上，芯片正面方向向上，用吸管吸取少量的发烟硝酸（浓度>98%）。滴在产品表面，这时树脂表面起化学反应，且冒出气泡，待反应稍止再滴，这样连滴5-10滴后，用镊子夹住，放入盛有丙酮的烧杯中，在超声机中清洗2-5分钟后，取出再滴，如此反复，直到露出芯片为止，最后必须以干净的丙酮反复清洗确保芯片表面无残留物。

开封方法二： 将所有产品一次性放入98%的浓硫酸中煮沸。这种方法对于量多且只要看芯片是否破裂的情况较合适。缺点是操作较危险。要掌握要领。

开封注意点： 所有一切操作均应在通风柜中进行，且要戴好防酸手套。产品开帽越到最后越要少滴酸，勤清洗，以避免过腐蚀。清洗过程中注意镊子勿碰到金丝和芯片表面，以免擦伤芯片和金丝。根据产品或分析要求有的开帽后要露出芯片下面的导电胶.,或者第二点.另外，有的情况下要将已开帽产品按排重测。此时应首先放在80倍显微镜下观察芯片上金丝是否断，塌丝，如无则用刀片刮去管脚上黑膜后送测。注意控制开帽温度不要太高。

分析中常用酸： 浓硫酸。这里指98%的浓硫酸,它有强烈的脱水性,吸水性和氧化性。开帽时用来一次性煮大量的产品，这里利用了它的脱水性和强氧化性。浓盐酸。指37%（V/V）的盐酸，有强烈的挥发性，氧化性。分析中用来去除芯片上的铝层。发烟硝酸，指浓度为98%（V/V）的硝酸。用来开帽。有强烈的挥发性，氧化性，因溶有NO2而呈红褐色。王水，指一体积浓硝酸和三体积浓盐酸的混合物。分析中用来腐金球，因它腐蚀性很强可腐蚀金。

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