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nor芯片 卡不住的国产芯片,NOR闪存制程“芯”破冰,兆易55nm NOR已量产
发布时间 : 2025-06-29
作者 : 小编
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卡不住的国产芯片,NOR闪存制程“芯”破冰,兆易55nm NOR已量产

快闪储存器简称“闪存”。作为一枚便携式移动储存芯片,闪存因其高效性、方便性、快捷性被广泛应用于计算机领域当中。现阶段,闪存主要负责对计算机进行数据储存、信息管理、资源调度等任务。

我是柏柏说科技,90后科技爱好者。今天带大家了解的是:

“兆易创新” 攻破技术难关,推出的55纳米“NOR闪存芯片”

近期,全球第一大NOR闪存芯片供给商,北京“兆易创新” 宣布了一则好消息。“兆易创新”成功突破55纳米制程工艺的技术瓶颈,完成55nm NOR闪存芯片的量产。 “兆易创新”市场经理薛霆 ,在接受采访时表示:“兆易创新的Flash产品线,目前已经达到55纳米制程工艺的水准 ”。

在“兆易创新”SPI NOR Flash的产品供给上,薛霆表示:“兆易创新”已经完成了从512Kbit到2Gbit的全系SPI NOR Flash的量产 。值得一提的是,薛霆在采访中多次表示:“兆易创新”是全球第一家把SPI NAND Flash推向世界而且量产的公司 。”

简单带大家了解完“兆易创新”攻破55纳米闪存这件事情,下面为大家详细介绍一下“兆易创新”的55nm NOR闪存芯片。要想了解NOR型闪存,我们必须分清NAND型与NOR型闪存的区别。闪存主要分为两类:NOR型与NAND型,两类闪存芯片的差别很大。

打个比方,与NAND型相比;NOR型更像是内存芯片,地址线和数据线是独立的。NAND型更像是主机硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线。我们知道,硬盘的所有信息的传输都是通过一条“硬盘线”完成的。因此说,NAND型闪存像硬盘,NOR型闪存像内存。

由于NOR型闪存芯片的地址线和数据线是独立的,因此在灵活性上;NOR闪存的灵活性要高于NAND型闪存 。但在容量上,NOR型闪存的容量没有NAND闪存的容量大 。因此对比NAND型闪存,NOR型闪存更适合于智能手机这种对数据随时进行读写,存储容量要求小的设备。

“一分钱一分货”,由于NOR型闪存比NAND型闪存多一根“线”。NOR型闪存的价格要比NAND型闪存高,收益也比NAND型闪存高。在这里穿插一点:虽然我们在NAND型闪存领域中的技术比较落后,但我国在NOR闪存领域中的技术是最先进的,兆易创新是全球第一大NOR闪存芯片的供应商。 谁说国产没有高价芯片,兆易创新的NOR便是。

据悉,“兆易创新”的55nm NOR闪存,相较于前一代65nm闪存,功耗降低30%。擦写次数可达10万次,数据保证时间可达20年。 毫无疑问,这在全球NOR闪存领域中居于领先水平。针对自家的55nm NOR闪存,薛霆提到:早在三年前,公司便开展了55nm制程工艺项目。在经过3000片以上封装测试的磨合后,才有了今天的55nm NOR闪存。

“兆易创新”的55nm NOR闪存具有产品第一、工艺更先进、体积更小的优势,能够为智能设备提供更多的可能性。看到这里,可能有些朋友会担心。“兆易创新”的NOR闪存,不会遭到老美的技术限制吗?答:不会。

与手机、PC端高端处理器芯片不同,闪存芯片对于代工制程的要求并不高。我国的芯片代工厂商完全可以满足“兆易创新”NOR闪存芯片的胃口。据悉,“兆易创新”的NOR闪存订单,大多都是委托给中芯国际代理加工,不是交给台积电去生产。 我们知道,由于中芯国际的10纳米和10纳米以下的代工设备涉及到美方技术。因此在10纳米和10纳米以下的代工业务方面,中芯国际的代工会受到老美的限制,可“兆易创新”却不一样。

通过本文可以了解到:目前“兆易制造”最高的NOR闪存芯片工艺为55nm。要知道,中芯国际10纳米以上的芯片代工是不受老美技术限制的 。因此面对在NOR闪存领域中“一骑绝尘”的兆易创新,老美想针对也无法针对。

这次“兆易制造”成功突破技术瓶颈,量产55nm NOR闪存芯片,为我国半导体行业的发展注入了一股强心剂。尽管比起CPU处理器、光刻机、真空蒸镀机等核心设备、部件,闪存的重要性不是很高,但有总比没有强,有了它,我们可以确保自己的NOR闪存芯片不会被老美“卡脖子”。

况且“兆易创新”是全球第一大NOR闪存供应商,在NOR闪存领域中掌握着一定的话语权。在我们今后发展半导体事业的道路上,“兆易创新”将成为一把利刃,砍散老美封锁我国半导体事业发展的野心。直白点说,我们具有在NOR闪存领域中,拿NOR闪存卡老美脖子的能力。

得益于我国近些年来在半导体领域中的进步,我们在自研芯片这条道路上取得了不错的成绩。例如中科院的石墨烯碳基芯片、华为的光子芯片、小米的澎湃ISP芯片等。这些都为我国实现芯片自主化生产提供了源源不断的动力。

不仅如此,在芯片代工生产领域中,中科院的5纳米激光雕刻技术和5纳米掩膜版,华卓精科的双工件台、南大光电的光刻胶、黄河水电的多晶硅、中微公司的5纳米刻蚀机等设备、原料的突破。为我们实现芯片自主化生产提供了必要的物质基础。

在这里穿插一点:虽说“兆易创新”不必担心老美的技术限制,在NOR领域中位于世界领先地位。但面对PC端领域中兴起的“挖矿热潮”,如何确保NOR闪存芯片不会受到“矿潮”的影响,对于“兆易制造”来说也是一场不小的挑战。

对于“兆易创新”推出的具有55纳米制程工艺的“NOR闪存芯片”,大伙有什么想说的吗?面对PC端领域中的“芯片挖矿”现象,你有什么看法呢?欢迎在下方留言评论。我是柏柏说科技,90后科技爱好者。关注我,带你了解更多资讯,学习更多知识。

股价涨逾200%!国产存储芯片商普冉股份上市,NOR闪存占比近7成

芯东西(公众号:aichip001)

作者 | 高歌

编辑 | Panken

芯东西8月23日报道,今日,国产存储芯片厂商普冉半导体(上海)股份有限公司(以下简称“普冉股份”,股票代码:688766)成功于科创板上市,发行905.718万股,发行价148.9元/股。

普冉股份今日开盘后,股价最高上涨至490元/股,之后跌至437元/股。截至芯东西成文,普冉股份股价为480元/股,上涨222%,总市值172亿元。

普冉股份2016年成立,承接了无锡普雅的的全部资产、业务、人员、技术。

普冉股份主营业务为非易失性存储器芯片,主要产品为NOR Flash和EEPROM两类芯片,可用于低功耗蓝牙模块、TWS耳机、手机触控、AMOLED和手机摄像头模组等方面。目前,普冉股份产品已进入小米、OPPO、vivo、华为、美的等厂商的终端产品。

报告期内,普冉股份营收增速较快,2018年-2020年各期营收分别为1.78亿元、3.63亿元和7.17亿元。

本次IPO,普冉股份计划募资3.45亿元,主要用于闪存芯片升级研发及产业化、EEPROM芯片升级研发及产业化和总部基地及前沿技术研发3个项目。

普冉股份募资情况

普冉股份的控股股东及实际控制人为企业创始人王楠和李兆桂2人,合计控制普冉股份55.93%的股权。

普冉股份股权结构图

一、普冉股份净利复合增长率达153%,华力为主要晶圆供应商

在报告期内,普冉股份营收增速较快,复合增长率达100.61%。2018年、2019年和2020年普冉股份营收分别为1.78亿元、3.63亿元和7.17亿元。

在利润方面,普冉股份2018年-2020年各期净利润分别为1337.37万元、3232.08万元和8603.95万元,复合增长率达153.64%。

普冉股份2018年-2020年营收与净利润变化

普冉股份产品主要为NOR Flash和EEPROM两类,其中NOR Flash营收占比较高,但是2018年-2020年间EEPROM产品的销售额占比在不断上升。

2020年,普冉股份NOR Flash产品销售额为4.93亿元,占营收比例为68.75%;EEPROM产品销售额则为2.22亿元,销售额占总营收比例为30.94%。

普冉股份2018年-2020年各产品营收占比变化

若以芯片产品的容量划分,2020年普冉股份销售额最高的产品是2Mbit-16Mbit NOR Flash产品,销售额为3.63亿元。

近年来,普冉股份的16Kbit-128Kbit EEPROM收入呈现快速增长趋势,推动了EEPROM销售额占比增长。这主要是因为手机摄像头模组厂商需求上升。在NOR Flash方面,因为AMOLED、触屏、TWS等应用拓展,2Mbit-16Mbit产品的出货量也实现了快速增长。

报告期内,杰理科技一直是普冉股份的第一大客户。恒选科技则在2018年和2020年为普冉股份的前五大客户。

普冉股份报告期内前五大客户

在采购上,由于普冉股份采用fabless(无晶圆厂)模式,不从事芯片生存和加工环节,主要采购内容为为晶圆、晶圆测试服务和封装测试服务。

普冉股份的主要晶圆供应商为华力和中芯国际2家,报告期内,普冉股份对华力的采购金额占比在75%以上;主要为普冉股份提供晶圆测试服务的厂商则有上海伟测、上海威伏和紫光宏茂等;普冉股份主要的封装供应商则有中芯长电、华天科技、通富微电等。

由于中芯长电的产能供应充足、封装质量稳定、价格有相对优势等,普冉股份对中芯长电的采购规模持续增加。

普冉股份报告期内前五大供应商

二、NOR Flash产品基于赛普拉斯授权,毛利率低于行业竞争对手

招股书显示,在NOR Flash方面,普冉股份已付费购买赛普拉斯的40nm和55nm SONOS工艺的授权。后因赛普拉斯被英飞凌收购,普冉股份的授权协议权利义务均转移至英飞凌继续履行。

如今,普冉股份已完成了256Mbit NOR Flash的研发设计,部分产品已升级至40nm,相关产品的投产计划处于稳步推进阶段。

普冉股份NOR Flash产品的读取速度、可靠性(读写次数、保存时间)等关键性能基本达到国际竞争对手水平;而在EEPROM方面,普冉股份基于130nm制程进行设计,在可靠性(包括擦写次数、保存时间)、工作电压等关键性能指标上整体达到国际竞争对手水平。

但同时,招股书也指出,相比国际巨头,普冉股份在大容量NOR Flash产品和车规级EEPROM产品上存在技术差距,尚无法覆盖汽车及工业领域的下游客户。此外,普冉股份的毛利率仅为23.79%,低于意法半导体、兆易创新、华邦等国内外竞争对手。

普冉股份与行业竞争对手对比

截至2020年12月31日,普冉股份拥有23项发明专利和1项实用新型专利,拥有集成电路布图设计23项。2018年-2020年,普冉股份研发投入分别为1345.79万元、3114.11万元和4597.15万元,累计研发投入金额占报告期公司累计营业收入比例为7.20%。

招股书显示,普冉股份的研发技术人员数量为91人,占员工总数比例达54%,其中核心技术人员5人,分别为普冉股份董事长兼总经理王楠、董事兼副总经理李兆桂、监事会主席陈涛、监事冯国友和资深经理汪齐方。

王楠毕业于上海交通大学应用物理系,获得了物理学和应用电子学双学士学位,2011年王楠获得了美国圣路易斯华盛顿大学Olin商学院EMBA学位。1998年7月至2012年9月,王楠曾在上海华虹NEC电子有限公司从事半导体集成电路设计研发和运营管理,历任设计工程师、主管工程师、部门经理和资深总监等职位。2012年9月,王楠担任无锡普雅执行董事;2019年6月至今担任普冉股份董事长、总经理。

李兆桂毕业于吉林大学电子工程系,获得了半导体专业硕士学位。1998年至2012年期间,李兆桂曾在中兴通讯股份有限公司、艾迪悌新涛科技(上海)有限公司、美国莱迪思半导体公司、上海华虹NEC电子有限公司等任职。2012年9月,李兆桂就职于无锡普雅,历任副总经理、总经理;2016年1月,李兆桂任普冉有限总经理,2019年6月起他为普冉股份董事、副总经理。

除了王楠和李兆桂,陈涛、冯国友和汪齐方都是普冉股份的高级专家工程师,其中陈涛和冯国友都曾在上海华虹任职;汪齐方则曾在旺宏微电子、苏州抱壹微电子、芯成半导体等企业任职。

普冉股份董事长、总经理王楠

三、创始人王楠、李兆桂为实际控制人和控股股东

普冉股份的控股股东及实际控制人为公司创始人王楠和李兆桂,2人已签订一致行动协议,将会在董事会提案、股东大会等相关重大事项中保持一致意见,若2人意见不一致,以王楠意见作为双方的一致意见。

具体来说,王楠直接持有普冉股份24.97%的股权,且担任上海志颀(持有普冉股份24.48%股权)的执行事务合伙人,合计持有普冉股份49.45%的股权;李兆桂则直接持有普冉股份6.48%的股权,2人合计持有普冉股份55.93%股权。

此外,占股比例超过5%的股东还有深圳南海公司。

普冉股份股东名单

结语:普冉股份技术路线与市场主流不同,存在风险

普冉股份作为我国主要的存储芯片厂商之一,其IPO的成功对国产芯片的发展有着积极意义。对于普冉股份自身来说,科创板上市也可以让其有资金进行大容量NOR Flash芯片研发等技术升级,或许能够提升其技术实力,增强普冉股份产品在国内外市场上的竞争力。

但同时,普冉股份的主要收入来源NOR Flash芯片基于赛普拉斯的SONOS工艺结构,与当前市场主流产品存在差异,存在技术路线错误的风险。普冉股份是否能够保持营收增长势头,成为市场中的头部玩家仍有待观察。

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