中美芯片战场，在14nm以下，也在28nm以上，美国故意忽略了

芯片是现代科技的基础，芯片即算力，算力即经济，可以说芯片是直接影响着一个国家在全球科技产业中的地位。

美国在芯片领域，有着超强的统计力，不仅芯片产品拿走了50%的份额，还在最上游的EDA、IP、半导体设备等领域有着话语权。

所以，美国不允许中国在芯片产业上崛起，更不允许中国制造出先进的芯片。在美国看来，只要中国不制造出先进的芯片，那么中国就得依赖美国，那么美国就可以从中国赚钱，更获得政治利益。

所以美国想锁死中国逻辑芯片的工艺在14nm，进入不了14nm以下，这样在先进芯片方面，中国就得靠美国。

为此，美国联合日本、荷兰，对先进的半导体设备进行封锁，只要能够制造14nm及以下工艺的芯片设备，就不准随便卖给中国，需要美国的许可。

但事实上，中美芯片战争，并不只是14nm以下，更在于28nm以下，美国想方设法卡住14nm以下，却卡不住28nm及以上工艺。

为什么这么说？目前全球的芯片按工艺制程来划分，28nm才是成熟芯片、先进芯片的分界点，从总数量来看，成熟芯片占全球芯片比例超过70%，先进芯片只占30%不到。

所以，成熟芯片也同样是最重要的，数量最多的芯片，而这部分，美国卡不住，也卡不了。

原因就在于28nm及以上的芯片制造，中国可以不依赖国外的设备，完全可以实现全自产，如果美国限制28nm及以上的设备出口，那中国的设备直接全部顶上，美国的半导体设备，会受到巨大的影响，所以美国不敢限制，也限制不了。

所以不限制成熟芯片，而事实上，这么做，美国也是有意这么忽略的，美国的目的是希望淡化成熟芯片的影响，只注重先进芯片，甚至希望中国也忽略掉成熟芯片，觉得芯片战场在14nm以下。

那么中国就会想方设法制造先进芯片，忽略掉成熟芯片，接下来美国就会大规模扩产芯片产能，将产能提升上来，解决自己的空心化问题。

不曾想，美国的阴谋没有奏效，中国早就知道了成熟芯片也是一个巨大的战场，所以一直在成熟芯片上不断的扩产，提升产能。

目前中芯已经是全球第三大芯片代工厂，另外像华虹、晶合集成都进入全球前Top10，大家以成熟芯片为基础，不断扩产，量变引发质变，带动国产供应链一起努力，从成熟跨进先进，一步一个脚印，现在在先进芯片上我们也早突破了14nm工艺。

事实上，大家都懂，如果真要全部卡死，就不分成熟、先进，全部卡了，但放开成熟芯片，只卡先进，美国就是故意的，希望我们觉得只有先进芯片才是美国的目标，而中国也没有上当，先进芯片当然不放弃，成熟芯片就更加不放弃，不断扩产，所以现在美国也有点骑虎难下了，阴谋没有得逞。

振奋！国产14nm芯片明年量产、135nm光源取得突破，美国无法阻挡

今天我们来聊3件事儿。

首先说的是光刻机的光源。

首先大家要明白一个概念，严格地说并没有所谓的几纳米几纳米光刻机，这种说法一般来说只是代表这种光刻机可以实现几纳米工艺。其实中高端光刻机主要分2种，DUV光刻机和EUV光刻机。

那么光源作为光刻机的核心部件之一，随着人类科技的不断进步，其

华为的麒麟9000，是当今世界上性能最强的手机芯片之一，它采用的是5nm工艺，必须使用EUV光刻机制造，所以才被美国死死地限制着，因为EUV光刻机有美国技术，台积电没办法使用EUV光刻机给华为代工这款芯片，这也造成了华为手机目前遇到的发展困局。

所以，如果我们能自己搞定EUV光刻机，那么就不用再惧怕任何的封锁和限制。可是EUV光刻机作为世界上最先进的一种设备，集成了人类在各个科技领域里最先进的技术，复杂程度难以想象，我们想要在短时间内造出EUV光刻机是不现实的。

在光刻机光源方面，我国目前的情况是，科益虹源在2018年就已经生产出193nm准分子激光器，也就是DUV光刻机的光源，目前已经实现了60w输出功率 ，这极大的推动了我国实现国产DUV光刻机的速度，也就是即将交付。

现如今，又有好消息传来。据知名大V爆料，我国已经搞定了13.5nm光源，如果是真的，那就意味着，我国已经突破了EUV光刻机光源这个核心部件，真的是一个天大的好消息。

另外，在6月2日的2021浦江创新论坛·科技创新青年峰会上，来自中科院上海光学所的田野研究员就公开表示，目前我们国家做光刻的主力军在光刻光源上，正在努力攻克从准分子的波段推进到13.5纳米波段，也就是 DUV光源的193nm深紫外光，推进到EUV光刻机的13.5nm极紫外光。 所以，这也从另一个侧面印证，已经实现13.5nm光源的消息极有可能是真的。总之，非常振奋人心。

当然，不论当下我们取得什么样的技术突破，正如我刚才说讲的，离造出EUV光刻机还有很远的路要走。眼下最关键的其实是可以实现28nm工艺的DUV光刻机，如果能做到国产DUV光刻机量产，那么将对我们的科技发展提供坚实的基础。

因为28nm工艺，是当下半导体领域性能和成本非常优异的工艺制程。其实除了手机芯片，基本上都不需要5nm这种级别的工艺，因为手机的尺寸较小，在有限的空间内想要实现更多的性能，就必须减低制程工艺。而在其他的领域，完全无需做这种考虑，例如电脑、汽车、飞机、火箭、卫星，芯片做得大一点是没有关系的，晶体管不够，扩大面积多放就行。所以28nm绝对可以满足绝大部分的需求，或者22nm、14nm，都是非常够用的工艺水平。并且DUV光刻机经过多次曝光，还可以实现7nm制程，所以28纳米工艺或者说DUV光刻机对于我国来说，早当下是具有战略意义的。

不过关于这点，这2天又突发一个坏消息，也是我们要讲的第二件事儿。

之前我的视频里讲过，台积电要把28nm产能搬到大陆，或者在大陆扩建28nm产能。那么根据相关媒体的爆料，台积电、联华电子计划在大陆扩大28纳米产能一事儿，没能获得美国的供应许可。我看到这个消息的时候，真的是非常气愤，这是要赶尽杀绝啊。在半导体领域，美国正在全方位限制我国。

不过除了技术上的封锁以外，我们还要承受来自ASML的压力，在爆出我国即将交付国产DUV光刻机的消息之后，EUV便放出口风，中国可以不限制购买EUV的DUV光刻机，所以中芯国际也终于向asml下了12亿美元的订单。然而，近期又传出消息，EUV的DUV光刻机开始搞降价促销，此举也被很多人认为是EUV有意打压国产DUV光刻机。

总之，不论是限制大陆28nm产能，还是打压国产DUV光刻机的发展，对于全球芯片严重短缺的局面来说，都是没有任何益处的，受到到损失的只有各个领域的企业，以及最终由消费者买单。并且，这些行为也没有办法阻挡中国半导体国产化的进程，延缓速度也只是暂时的。

ASML的CEO就曾公开表示，不把EUV光刻机卖给中国，那么中国会在三年后掌握这个技术。虽然这个言论可能有些夸张，或者是烟雾弹，或者是有意说给美国听的，但也能够感受出来，EUV自身对于中国自研光刻机的担心。因为在众多限制封锁中国的领域中，无一例外，全部被我国突破，并且最终将各种技术设备变成了白菜价。未来，EUV或许也会面临这样的局面，你说能不害怕吗？

其实我刚才说的2点，是有些矛盾的，一个是被允许购买asml的DUV光刻机，另一个是突然开始限制28nm工艺，这是为什么呢？从时间维度上看，允许DUV光刻机在先，限制28nm在后。另外还有一个问题，那就是美国为何突然限制28nm，为什么突然变卦，想必一定有其背后的原因。

说到这，我要分享另一个振奋人心的消息了，也是今天视频的第三件事儿。

近日，中国电子信息产业发展研究院，电子信息研究所所长温晓君，在接受媒体采访的时候表示，国产14nm芯片明年年底就可以实现量产。众多技术突破覆盖了国产半导体产业链，例如刻蚀机、薄膜沉积等关键装备实现突破和量产，14纳米工艺研发取得突破，后道封装集成技术实现量产，抛光剂和溅射靶材等上百种关键材料通过大生产线考核进入批量销售。这个消息意味着，国产DUV光刻机明年一定能够交付使用，并且开始量产芯片。所以美国极可能是因为这点才临时反悔，把原本不在限制范围内的28nm，列入限制名单。

其实有很多人瞧不起14nm，认为太落后。的确从工艺水平上，14nm落后很多。但是从市场需求的角度来看，就是另一回事了。根据相关统计数据显示，2020年，使用14nm及以上工艺的芯片占全球芯片的82%左右。

所以，我们先搞定国产DUV光刻机，然后搞定28nm、14nm、12nm、10nm工艺量产，然后7nm工艺量产，先满足国产半导体供应链的发展和壮大，抢占全球中低端芯片市场，然后持续科研攻关、加大投入，争取尽快攻克EUV光刻机。

当然，在某些人眼里，中国永远无法造出EUV光刻机。我想说的是，别忘了，不论它有多先进，都是人造的，不是神造的，中国人或许还没有能力造出太阳、地球和月亮，但最先进的光刻机中国一定能造的出来。

万米深海我们去了，月亮我们去了，火星我们也去了，空间站我们建好了，还有什么是中国人做不到的呢？

既然，我国基本上在很长的一段时间内，都无法从ASML获得EUV光刻机，那么只有自研这一条路了。当一个个核心技术被攻克的时候，也意味着我们离最终的胜利又近了一步。如果有人问我，到底什么时候能造出EUV光刻机，我个人觉得快点的话5年左右，慢的话7-8年绝对可以搞定。当然，这个观点会有很多人不同意。不管怎样，咱们都要给国产半导体不断地加油打气，同时也让我们拭目以待，等待几年，我们再看。

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