深圳市杰诺特精密技术取得碳化硅芯片烧结贴合设备专利，芯片最终贴合效果好、合格率高

金融界2024年10月1日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市杰诺特精密技术有限公司取得一项名为“碳化硅芯片烧结贴合设备”的专利，授权公告号 CN 221783161 U，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本实用新型公开了碳化硅芯片烧结贴合设备，涉及碳化硅芯片技术领域，包括主体结构组件、下模加热组件、上模加热组件、第一压力输出组件、第二压力输出组件、机箱组件和操作控制组件，主体结构组件将下模加热组件、上模加热组件、第一压力输出组件、第二压力输出组件连接成一个整体，所述主体结构组件整体设置在机箱组件的内部，所述机箱组件的箱门的一侧固定连接有操作控制组件。本实用新型中通过主体结构组件，实现精准贴合和便捷取样，通过上模加热组件、下膜加热组件、第一压力输出组件和第二压力输出组件的配合，使得芯片和母材在温度和压力下无缝结合，芯片最终贴合效果好、合格率高，通过机箱组件和操作控制组件的配合，确保操作安全。

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宏微科技：在SiC领域取得实质性进展，部分产品已形成小批量出货

金融界9月27日消息，有投资者在互动平台向宏微科技提问：公司有没有碳化硅方面的业务？如有进展咋样了？有现成产品吗？

公司回答表示：公司在传统硅基业务稳健发展的基础上，也在积极布局SiC芯片及封装业务。截至2024年半年度，公司在SiC领域取得了实质性进展，包括：1、芯片产品：1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V 13mohm SiC MOSFET芯片正在积极开发中；自主研发的SiC SBD芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。2、模块产品：车规级1200V SiC自研模块正在研制中，对应的银烧结工艺已通过可靠性验证，为下一步车规模块产品的开发提供了坚实的技术平台；不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块完成开发，已批量供货。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。

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