业界领先！昕感首发1200V7mΩ SiC MOSFET芯片！

近日，昕感科技 面向新能源领域推出一款重量级SiC MOSFET 器件新产品（N2M120007PP0），实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ 。

众所周知，对于电动汽车来说，电驱动系统是最为核心的部分。而在电机驱动系统中，MOSFET通常作为电机逆变器的关键元件，将直流电源转换为交流电源，以驱动三相电机运转。在这过程中，从电能到机械能的转换效率即电驱动系统效率就显得极其重要。

相对于传统的硅基MOSFET来说，SiC MOSFET得益于SiC材料的加持，具有更低的导通电阻、更低的开关损耗、更高的击穿电场强度和高温稳定性，可以使电机驱动系统具有更高的效率、更高的功率密度，并且拥有更长的使用寿命。

目前，众多的电动汽车都开始向800V高压平台迁移，需要 800V—1200V的功率元器件支持。而更高效的1200V SiC MOSFET正是电动汽车800V高压平台必不可少的关键器件。

对于SiC MOSFET来说，导通电阻是一项重要的性能指标，反映了器件在导通状态下的损耗和效率。在1200V的工作电压下，SiC MOSFET通常具备更低的导通电阻，可以实现更高的功率密度和更低的能量损耗。

虽然目前一些国际大厂的SiC MOSFET的导通电阻可以控制在1200V/3mΩ以下，但是国产SiC MOSFET厂商由于起步相对较晚，目前导通电阻水平多数都还是在1200V/10mΩ以上。显然，昕感科技的1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片已经达到了业界领先的水平。

据介绍，昕感这款新品基于车规级工艺平台 ，采用先进结构和制造工艺 ，兼容18V栅压驱动，配合TO-247-4L Plus封装，有力提升了国产碳化硅器件的性能。新产品瞄准新能源汽车主驱 等亟需高压大电流与低损耗的功率半导体开关应用，助力新能源领域快速更新换代，为国家“碳达峰、碳中和”目标的实现做出贡献。

昕感新品采用出色的TO-247-4L Plus 封装，具备开尔文源极和低热阻等优势，能够显著降低开关损耗及震荡，提升器件散热表现。

昕感新品工作电流可达300A 以上，具有正温度系数，可方便实现大电流并联。同时，昕感新品的漏电流极低（<1μA@1200V ），具备优越的高压阻断特性。

△N2M120007PP0器件部分静态特性

昕感新品已完成一系列动态测试和可靠性考核（HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB 等），在不同条件下正常动态开关。

△N2M120007PP0器件800V/200A下的开关波形

除TO-247-4L Plus等单管封装外，昕感1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片也可封装进定制化功率模块 ，便于广泛实现其在汽车主驱等新能源领域中的应用。

昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件和功率模块的技术突破创新和产品研发生产，致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。昕感科技拥有从器件到模块再到应用的全流程高度定制化技术能力，能够匹配各领域客户需求，帮助客户快速建立差异化竞争优势。

昕感科技已在650V、1200V、1700V 等电压平台上完成数十款碳化硅器件和模块产品量产。其中，1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ 直至7mΩ 等导通电阻规格，模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL 等封装形式。1200V/80mΩ SiC MOSFET已通过AEC-Q101 车规级可靠性认证，也标志着在此工艺平台上开发的多款更低导通电阻器件达到车规级可靠性水平。

编辑：芯智讯-浪客剑

昕感科技：顺利完成晶圆厂首批投片

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中国“芯”突破：昕感科技一年建成晶圆厂，投片开启半导体新征程！

那么最后小编想问：昕感科技的快速投产是中国半导体产业崛起的又一力证吗？对此你怎么看？

近日，一则关于昕感科技江阴晶圆厂首批投片成功的新闻在科技圈引发热议。这家成立于2022年的公司，仅用一年时间便完成了从厂房建设到设备进驻再到正式投片的壮举，展现出惊人的速度和效率，更被视为中国半导体产业链自主可控进程中的一个重要里程碑。昕感科技的快速崛起究竟释放了哪些信号？中国“芯”的未来又将走向何方？

01. 一年建厂投片，昕感速度背后的“中国效率”

在全球半导体产业格局风云变幻的当下，速度和效率成为企业制胜的关键。昕感科技江阴晶圆厂从2023年8月破土动工，到2024年8月设备正式进驻并完成首批投片，仅用时一年，这在寸土寸金的半导体行业，堪称“中国速度”的又一完美诠释。

回顾中国发展历程，无论是基础设施建设还是科技创新领域，都展现出令世界惊叹的“中国效率”。从“基建狂魔”到“5G领跑者”，中国速度的背后，是集中力量办大事的制度优势，是勇攀高峰的创新精神，更是产业链协同和高效执行力的完美结合。

昕感科技的快速投产，正是这种“中国效率”的生动体现。地方政府的大力支持、团队高效的执行力、以及国内半导体产业链的日益成熟，共同促成了这一令人瞩目的成就。

02. 聚焦传感器芯片，昕感科技抢占未来科技制高点

昕感科技的快速崛起并非偶然，其精准的市场定位是成功的关键因素之一。作为一家专注于传感器芯片研发生产的高新技术企业，昕感科技瞄准了未来科技发展的重要方向。

传感器作为信息技术的感知层，是物联网、人工智能、智能制造等新兴产业发展的基础。近年来，随着5G、人工智能、物联网等新一代信息技术的快速发展，全球传感器市场需求持续增长，预计到2025年，市场规模将突破4000亿美元。

中国是全球最大的传感器消费市场，但高端传感器芯片长期依赖进口，自主研发能力不足。昕感科技的成立，正是为了打破这种局面，填补国内高端传感器芯片领域的空白。

03. 自主创新，昕感科技助力中国“芯”突破封锁

近年来，美国对中国科技企业的打压和封锁不断升级，芯片成为卡脖子的关键领域。在此背景下，实现半导体产业链的自主可控，成为中国科技发展的当务之急。

昕感科技的晶圆厂项目，正是中国半导体产业链自主可控进程中的一个重要突破。该项目从设计、制造到封装，全部采用自主研发的技术和设备，这对于提升中国半导体产业链的安全性、稳定性和竞争力具有重要意义。

昕感科技的成功经验表明，在国家政策的大力支持下，中国科技企业完全有能力、有信心在半导体领域实现突破，打破国外技术封锁，掌握核心技术，实现高质量发展。

04. 道阻且长，中国“芯”未来任重道远

尽管昕感科技的快速投产令人振奋，但我们也要清醒地认识到，中国半导体产业与国际先进水平相比，仍存在较大差距。

在核心技术方面，中国企业在高端芯片设计、制造工艺、关键设备材料等方面与国际巨头仍有较大差距，需要持续加大研发投入，加强人才培养，突破核心技术瓶颈。

在产业生态方面，中国半导体产业链上下游企业之间缺乏协同创新，产业链整体竞争力有待提升。

在国际竞争方面，中国半导体企业面临着来自美国等西方国家的技术封锁和市场竞争，需要不断提升自身实力，积极开拓国际市场。

05. 砥砺前行，共筑中国“芯”未来

芯片是信息时代的“工业粮食”，是国家战略性、基础性和先导性产业。尽管面临诸多挑战，但我们相信，在中国政府的大力支持下，在以昕感科技为代表的中国科技企业的共同努力下，中国半导体产业必将突破封锁，实现跨越式发展，为中国科技发展和经济腾飞注入强劲动力！

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