三星开始量产第九代QLC V-NAND闪存芯片

三星已开始量产用于下一代大容量固态硬盘的新型 QLC V-NAND 芯片。该制造商在官方博客中称，其第九代 QLC V-NAND 结合了人工智能时代的"多项突破性技术"，在密度提高、容量增大、速度提升和能耗降低等方面实现了多项改进。

继2024 年 4 月开始生产的第九代 TLC V-NAND 内存之后，三星又推出了新的 1Tb quad-level cell (QLC) V-NAND 芯片。三星表示，新的 QLC 芯片将"满足人工智能时代的需求"，尤其是在企业固态硬盘市场。三星公司闪存产品与技术执行 IP SungHoi Hur 就该公司下一代 QLC V-NAND 内存芯片的推出发表了以下看法：

QLC 第 9 代 V-NAND 的成功量产仅比 TLC 版本晚四个月，这使我们能够提供满足人工智能时代需求的全系列先进固态硬盘解决方案。随着企业级固态硬盘市场的快速增长和人工智能应用需求的不断增长，我们将继续通过我们的 QLC 和 TLC 第 9 代 V-NAND 巩固我们在该细分市场的领导地位。

得益于三星的沟道孔蚀刻技术，第九代四级单元的密度比上一代 QLC V-NAND 芯片高出 86%。三星还优化了各层单元特性，使数据保留性能提高了约 20%。最后，由于采用了预测和控制存储单元状态的预测程序技术，芯片的输入/输出速度提高了约 60%。

至于功耗这一移动设备的关键特性，三星声称，由于采用了低功耗设计并降低了电压要求，读取和写入能耗分别降低了 30% 和 50%。

虽然最初的重点是企业市场，但三星还计划将第 9 代 QLC V-NAND 存储器芯片的应用扩展到消费类产品，如大容量固态硬盘和用于现代智能手机的 UFS（通用闪存）。

业界最高密度，西部数据预览BICS8 2Tb QLC NAND闪存芯片

IT之家 6 月 14 日消息，西部数据在前不求投资者活动上预览了 2Tb 容量版本的 BICS8（218 层） QLC NAND 芯片，这也是业界目前最高密度的闪存芯片。

该存储颗粒专为满足数据中心与 AI 存储需求设计 ，可进一步降低高容量企业级固态硬盘成本，满足越来越庞大的数据存储需求。

一个闪存颗粒由多个闪存芯片堆叠封装而成，单芯片 2Tb 意味着西数可通过 16 层堆叠提供 4TB 容量颗粒 ，为未来 128TB 乃至 256TB 量级企业级固态硬盘铺平道路。

西部数据闪存业务总经理罗伯特・索德伯里（Robert Soderbery）还在这场活动上展示了 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片实物，该芯片的长度与一个指尖的宽度大致相当 ：

索德伯里表示，该闪存新品即将正式发布。

回到 BiCS8 技术上来，西部数据-铠侠此次采用了类似长江存储 Xtacking 的 CBA 技术路线，即分别制造存储堆栈和 CMOS 控制电路，最后将两部分混合键合 。

这一模式可在提升闪存读写性能的同时，有效提升闪存整体存储密度，降低运行功耗。

具体在数值层面，西数表示，BICS8 颗粒在密度上比竞争对手高出 15~19%，其中 1Tb 版本的 TLC 颗粒拥有与对手 2xxL 1Tb QLC 颗粒相媲美的存储密度 。

而在能效方面，西部数据宣称其 BICS8 闪存在编程能耗（IT之家注：原文 Program Efficiency）方面比竞争对手低 13%。

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