美国万万没想到，中国三大芯片产品，都攻破了美日荷防线

目前全球种类最多，价值最高的两大种芯片，分别是逻辑芯片，和存储芯片，其中存储芯片主要是NAND存储芯片，DRAM芯片。这两大种类的芯片，三大芯片产品，占到全球所有芯片价值的85%以上。

逻辑芯片方面，当然是美国称雄，而存储芯片，则是韩国最强，因为韩国是美国的小弟，所以四舍五入，韩国称雄，也相当于美国称雄。

再考虑到美国一直以来，占了全球50%左右的芯片市场份额，所以绝不允许任何国家和地区，能在芯片产业上挑战美国。

因为靠着芯片，美国不仅可以收割全球的经济利益，还可以基于芯片，对全球进行制裁，获得一些政治利益。

所以，当美国看到中国芯片产业崛起后，坐不住了， 联合日本、荷兰，构建了一条严密的防线，借此来打压中国芯片产业。

在美国的计划里，要锁死中国的逻辑芯片制造工艺在14nm，不能再前进。锁死NAND闪存芯片技术在128层，不能再前进，锁死DRAM内存芯片在18nm，不能再前进。

可以用于生产防线下的芯片的设备，全部不能卖给中国芯片厂商。在美国看来，一旦达到这三个目标，那么中国生产的这两大类芯片，均是属于成熟芯片，那么先进芯片就还是美国说了算。

不过，美国万万没想到的是，在美国、日本、荷兰三个国家的防线之下，中国也会有突破，在三大领域，均攻破了防线。

逻辑芯片方面，美国没能锁死在14nm工艺，我们已经往14nm之下，再前进了好几步，我们已经实现了更先进的芯片工艺，具体是多少，不便多言，大家知道麒麟9000S\麒麟9010芯片就行了，它肯定不是14nm的，比这个先进多了。

再看NAND闪存方面，前段时间，有媒体报道称，长存之有基于国外设备，早就生产出了232层的3D NAND闪存。

后来被打压，长存进行国产设备替代，基于国产设备，都生产出了160L的3D NAND闪存，其存储密度，不输三星、SK海力士等大厂，明显也是突破了防线。

再看DRAM方面，长鑫也有了突破，产品线涵盖LPDDR5、DDR4等先进产品，其自主研发的DRAM芯片产品，成功打破了国际巨头的垄断，实现了从0到1的突破。

按照机构的预测，长鑫DRAM产能今年年底将增至20万片，明年将增至30万片，这意味着长鑫存储占全球产量的15%，几乎赶上了第三名的美光（约20%）。

可见，在美国、日本、荷兰的围堵之下， 中国芯在美国最严密的防线下，我们都实现了三大产品线的突破，这估计也是美国万万没有想到的，不知道接下来，美国又会出什么阴招？

中国芯片为何会被卡脖子？台积电高管：因为嫌不赚钱，没早投入

众所周知，中国芯片产业，目前是被美国卡着脖子的。

而卡的的，主要是芯片制造环节，包括最先进的EDA、GAAFET等等关键技术外，最重要的是先进的半导体设备等，美国也不允许其它国家和地区随便销售至中国，比如EUV光刻机等。

甚至还包括一些配套的其他设备和材料，还有涉及制造领域的工业软件等。

目前国内在EDA、半导体设备，甚至半导体材料方面，确实较国外领先水平有非常大的差距，所以美国不允许这些东西出口至中国后，对我们的芯片制造产业，影响非常大。

像台积电等早进入了3nm，而按照一些专业人士的说法，如果国内全部采用国产设备，可能连28nm工艺，都不一定能够实现，因为很多28nm的工艺，都要基于国外的设备。

为何中国在半导体设备、材料、EDA等方面，落后国际顶尖水平这么多呢？

有人说是因为起步晚，有人说是因为国外的各种技术禁运，导致国内全部要靠自己摸索，无法共享全球的先进技术。

而近日，台积电前研发处处长杨光磊在访谈中表示，中国芯片制造被卡脖子，有一个很大的原因，是这些业务不赚钱，这些项目需要的投资很多，但产业规模又不大，利润也低，如果政府不扶持补贴，很多企业根本就不想做这样的生意，投资回报率低，风险大。

事实上，也确实如此，不管是EDA、还是半导体设备、光刻机等等，其市场在早期其实是非常小的，且要想获得投资回报，可能需要5年、10年、20年的长期坚持才行。

这种业务，在早期根本就没有什么回报，相比于芯片设计这样的高毛利业务而言，溢价、增值空间都小的多，所以厂商们不敢进入也是原因之一。

事实上，不仅中国如此，美国也是如此，为了发展半导体设备，美国前期政府进行了大规模的扶持补贴，才让一些美国企业，涉足半导体设备产业。

但与此同时，美国的芯片制造业，又陷困境，因为芯片制造也是周期长，投资大，见效、毛利低的业务，最后美国的芯片企业，都不想制造芯片，只想设计芯片，这样见效更快，这也是导致美国现在芯片空心化严重的根本原因之一。

而现在，我们已经在大规模的补贴芯片产业，从EDA到各种设备、材料、技术、制造等等，相信接下来，这种卡脖子的现象会大为改观，很多之前企业不愿意涉足的项目，也是越来越风生水起了。

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